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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
EPC
制造商产品编号： EPC2104ENGRT
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 25076
描述： GANFET 2NCH 100V 23A DIE
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    EPC
  • 制造商产品编号
    EPC2104ENGRT
  • 库存数量
    25076
  • 系列
    eGaN?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    23A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    6.3 毫欧 @ 20A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 5.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    7nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
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  • 供应商器件封装
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