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CSD86336Q3D
Texas Instruments
制造商产品编号: CSD86336Q3D
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 32394
描述: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
规格书: 立即下载

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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
  • 制造商
    Texas Instruments
  • 制造商产品编号
    CSD86336Q3D
  • 库存数量
    32394
  • 系列
    NexFET?
  • 包装
    卷带(TR) , 剪切带(CT)
  • FET 类型
    2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能
    逻辑电平栅极,5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)
    25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    9.1 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    1.9V @ 250μA,1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    3.8nC @ 45V,7.4nC @ 45V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    494pF @ 12.5V,970pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值
    6W
  • 工作温度
    -55°C ~ 125°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-VSON(3.3x3.3)