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BSG0813NDIATMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： BSG0813NDIATMA1
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 81563
描述： MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Infineon Technologies
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    BSG0813NDIATMA1
  • 库存数量
    81563
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，4.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
    25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    19A，33A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    3 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    8.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1100pF @ 12V
  • 功率 - 最大值
    2.5W
  • 工作温度
    -55°C ~ 155°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    PG-TISON-8