S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>DMT10H017LPD-13
DMT10H017LPD-13
Diodes Incorporated
制造商产品编号： DMT10H017LPD-13
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 41354
描述： MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
SH8M14TB1
SH8M14TB1
Rohm Semiconductor
IRL6297SDTRPBF
IRL6297SDTRPBF
Infineon Technologies
TSM200N03DPQ33 RGG
TSM200N03DPQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
DMGD7N45SSD-13
DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
STL52DN4LF7AG
STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
  • 制造商
    Diodes Incorporated
  • 制造商产品编号
    DMT10H017LPD-13
  • 库存数量
    41354
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    54.7A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    17.4 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    28.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1986pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
    2.2W（Ta），78W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    PowerDI5060-8