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SIZ348DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号: SIZ348DT-T1-GE3
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 88387
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
规格书: 立即下载

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Rohm Semiconductor
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIZ348DT-T1-GE3
  • 库存数量
    88387
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带(TR) , 剪切带(CT)
  • FET 类型
    2 N-通道(双)
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压(Vdss)
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    18A(Ta),30A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    7.12 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    18.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    820pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    3.7W(Ta),16.7W(Tc)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    8-Power33(3x3)