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SSM6L820R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： SSM6L820R,LF
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 41434
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+P-CH VD
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    SSM6L820R,LF
  • 库存数量
    41434
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V，20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    39.1 毫欧 @ 2A，4.5V，45 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 1mA，1.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.2nC @ 4.5V，6.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    310pF @ 15V，480pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1.4W（Ta）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    6-TSOP-F