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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>IPG20N10S4L35AATMA1
IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： IPG20N10S4L35AATMA1
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 25316
描述： MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IPG20N10S4L35AATMA1
  • 库存数量
    25316
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    35 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.1V @ 16μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    17.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1105pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    43W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装，可润湿侧翼
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    PG-TDSON-8-10