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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SI6562CDQ-T1-BE3
SI6562CDQ-T1-BE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SI6562CDQ-T1-BE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 53272
描述： N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI6562CDQ-T1-BE3
  • 库存数量
    53272
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    5.7A（Ta），6.7A（Tc），5.1A（Ta），6.1A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    22 毫欧 @ 5.7A，4.5V，30 毫欧 @ 5.1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    23nC @ 10V，51nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    850pF @ 10V，1200pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1.1W（Ta），1.6W（Tc），1.2W（Ta），1.7W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-TSSOP