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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>PJQ4602_R1_00001
PJQ4602_R1_00001
Panjit International Inc.
制造商产品编号： PJQ4602_R1_00001
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 47270
描述： 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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PJQ5850_R2_00001
Panjit International Inc.
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MCGD30P02-TP
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  • 制造商
    Panjit International Inc.
  • 制造商产品编号
    PJQ4602_R1_00001
  • 库存数量
    47270
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6.4A（Ta），18.5A（Tc），6.4A（Ta），18A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    28 毫欧 @ 6A，10V，31 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.1V @ 250μA，2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    7.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    343pF @ 15V，870pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    2W（Ta），17.8W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    DFN3030B-8