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SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： SSM6L35FU(TE85L,F)
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 33702
描述： MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    SSM6L35FU(TE85L,F)
  • 库存数量
    33702
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，1.2V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    180mA，100mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    3 欧姆 @ 50mA，4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    9.5pF @ 3V
  • 功率 - 最大值
    200mW
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装
    US6