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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>HP8M31TB1
HP8M31TB1
Rohm Semiconductor
制造商产品编号： HP8M31TB1
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 57218
描述： HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    Rohm Semiconductor
  • 制造商产品编号
    HP8M31TB1
  • 库存数量
    57218
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    8.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    12.3nC @ 10V，38nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    470pF @ 30V，2300pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
    3W（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-HSOP