SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号：
SIZ200DT-T1-GE3
库存数量：
23012
描述：
MOSFET N-CH DUAL 30V
立即询价：
0755-75583299131
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制造商
Vishay Siliconix
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制造商产品编号
SIZ200DT-T1-GE3
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库存数量
23012
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系列
TrenchFET? Gen IV
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包装
卷带（TR） , 剪切带（CT）
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FET 类型
2 N-通道（双）
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FET 功能
标准
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漏源电压（Vdss）
30V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），61A（Tc），22A（Ta），60A（Tc）
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 10A，10V，5.8 毫欧 @ 10A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
28nC @ 10V，30nC @ 10V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1510pF @ 15V，1600pF @ 15V
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功率 - 最大值
4.3W（Ta），33W（Tc）
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工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
表面贴装型
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封装/外壳
8-PowerWDFN
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供应商器件封装
8-PowerPair?（3.3x3.3）
