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SIZF906ADT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SIZF906ADT-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 71360
描述： MOSFET DUAL N-CHAN 30V
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIZF906ADT-T1-GE3
  • 库存数量
    71360
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 个 N 通道（双），肖特基
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    49nC @ 10V，200nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
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  • 封装/外壳
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