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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SQJ500AEP-T1_BE3
SQJ500AEP-T1_BE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SQJ500AEP-T1_BE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 62479
描述： MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
立即询价： 0755-75583299131
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Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SQJ500AEP-T1_BE3
  • 库存数量
    62479
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，27 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.3V @ 250μA，2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    38.3nC @ 10V，45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1843pF @ 20V，1628pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
    48W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SO-8
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SO-8