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SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SIZ998DT-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 35838
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Nexperia USA Inc.
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIZ998DT-T1-GE3
  • 库存数量
    35838
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 个 N 通道（双），肖特基
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A（Tc），60A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    6.7 毫欧 @ 15A，10V，2.8 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    930pF @ 15V，2620pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    20.2W，32.9W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    8-PowerPair?（6x5）