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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SH8K26GZ0TB
SH8K26GZ0TB
Rohm Semiconductor
制造商产品编号： SH8K26GZ0TB
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 29588
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Rohm Semiconductor
  • 制造商产品编号
    SH8K26GZ0TB
  • 库存数量
    29588
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    38 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    2.9nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    280pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    2W（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-SOP