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QS8M31TR
Rohm Semiconductor
制造商产品编号： QS8M31TR
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 25148
描述： QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    Rohm Semiconductor
  • 制造商产品编号
    QS8M31TR
  • 库存数量
    25148
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3A（Ta），2A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    112mOhm @ 3A，10V，210mOhm @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 1mA，3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    4nC @ 5V，7.2nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    270pF @ 10V，750pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1.1W（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    TSMT8