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SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号: SIA907EDJT-T1-GE3
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 69303
描述: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIA907EDJT-T1-GE3
  • 库存数量
    69303
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带(TR) , 剪切带(CT)
  • FET 类型
    2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
  • 功率 - 最大值
    7.8W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SC-70-6 双
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SC-70-6 双