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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SSM6N16FE,L3F
SSM6N16FE,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： SSM6N16FE,L3F
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 95697
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    SSM6N16FE,L3F
  • 库存数量
    95697
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    100mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    3 欧姆 @ 10mA，4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    9.3pF @ 3V
  • 功率 - 最大值
    150mW（Ta）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装
    ES6