S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SSM6N815R,LF
SSM6N815R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： SSM6N815R,LF
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 24981
描述： MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
NVTJD4001NT1G
NVTJD4001NT1G
onsemi
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
onsemi
DMG1026UV-7
DMG1026UV-7
Diodes Incorporated
DMG1029SV-7
DMG1029SV-7
Diodes Incorporated
BSS138DW-7-F
BSS138DW-7-F
Diodes Incorporated
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    SSM6N815R,LF
  • 库存数量
    24981
  • 系列
    U-MOSVIII-H
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，4V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    103 毫欧 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    290pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    1.8W（Ta）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    6-TSOP-F