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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>TQM110NB04DCR RLG
TQM110NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号： TQM110NB04DCR RLG
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 42495
描述： 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商产品编号
    TQM110NB04DCR RLG
  • 库存数量
    42495
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10A（Ta），50A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    11 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1354pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
    2.5W（Ta），58W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装，可润湿侧翼
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-PDFNU（5x6）