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SISF04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SISF04DN-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 49813
描述： MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SISF04DN-T1-GE3
  • 库存数量
    49813
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30A（Ta），108A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    60nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2600pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    5.2W（Ta），69.4W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    PowerPAK? 1212-8SCD
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? 1212-8SCD