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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>PMGD280UN,115
PMGD280UN,115
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号： PMGD280UN,115
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 98408
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Nexperia USA Inc.
  • 制造商产品编号
    PMGD280UN,115
  • 库存数量
    98408
  • 系列
    TrenchMOS?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    870mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    340 毫欧 @ 200mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    0.89nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    45pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
    400mW
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装
    6-TSSOP