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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>MSCSM170HM23CT3AG
MSCSM170HM23CT3AG
Microchip Technology
制造商产品编号： MSCSM170HM23CT3AG
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 6726
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Microchip Technology
  • 制造商产品编号
    MSCSM170HM23CT3AG
  • 库存数量
    6726
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    4 N 沟道（全桥）
  • FET 功能
    碳化硅（SiC）
  • 漏源电压（Vdss）
    1700V（1.7kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    124A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    22.5 毫欧 @ 60A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.2V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    356nC @ 20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    6600pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
    602W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装