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G06NP06S2
Goford Semiconductor
制造商产品编号： G06NP06S2
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 31558
描述： N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Goford Semiconductor
  • 制造商产品编号
    G06NP06S2
  • 库存数量
    31558
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    6A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    35 毫欧 @ 6A， 10V， 45 毫欧 @ 5A， 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA，3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    22nC @ 10V，25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
  • 功率 - 最大值
    2W（Tc）， 2.5W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-SOP