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EPC2108
EPC
制造商产品编号： EPC2108
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 46194
描述： GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    EPC
  • 制造商产品编号
    EPC2108
  • 库存数量
    46194
  • 系列
    eGaN?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
  • FET 功能
    GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）
    60V，100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.7A，500mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    22pF @ 30V，7pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    9-VFBGA
  • 供应商器件封装
    9-BGA（1.35x1.35）