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SSM6N951L,EFF
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： SSM6N951L,EFF
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 20868
描述： SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    SSM6N951L,EFF
  • 库存数量
    20868
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    5.1 毫欧 @ 8A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
  • 功率 - 最大值
  • 工作温度
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-SMD，无引线
  • 供应商器件封装
    6-TCSPA（2.14x1.67）