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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>CSD86350Q5DT
CSD86350Q5DT
Texas Instruments
制造商产品编号： CSD86350Q5DT
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 41012
描述： 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Texas Instruments
  • 制造商产品编号
    CSD86350Q5DT
  • 库存数量
    41012
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    40A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.1V @ 250μA，1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    10.7nC @ 4.5V，25nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1870pF @ 12.5V，4000pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值
    13W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerLDFN
  • 供应商器件封装
    8-LSON（5x6）