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SIZ980BDT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SIZ980BDT-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 83852
描述： MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIZ980BDT-T1-GE3
  • 库存数量
    83852
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 个 N 通道（双），肖特基
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    23.7A（Ta），54.8A（Tc），54.3A（Ta），197A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.39 毫欧 @ 15A，10V，1.06 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    18nC @ 10V，79nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    790pF @ 15V，3655pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    3.8W（Ta），20W（Tc），5W（Ta），66W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
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