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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>DMT3009LDT-7
DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
制造商产品编号： DMT3009LDT-7
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 46768
描述： MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Diodes Incorporated
  • 制造商
    Diodes Incorporated
  • 制造商产品编号
    DMT3009LDT-7
  • 库存数量
    46768
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20nC @ 15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    1.2W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装
    V-DFN3030-8（K 类）