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HS8K1TB
Rohm Semiconductor
制造商产品编号： HS8K1TB
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 37887
描述： 30V NCH+NCH POWER MOSFET
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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onsemi
  • 制造商
    Rohm Semiconductor
  • 制造商产品编号
    HS8K1TB
  • 库存数量
    37887
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10A（Ta），11A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    14.6mOhm @ 10A，10V，11.8mOhm @ 11A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    6nC @ 10V，7.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    348pF @ 15V，429pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    2W（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装
    HSML3030L10